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产品简介
该设备用于8英寸、12英寸半导体晶圆减薄、抛光工艺。
基本信息
1. 适用产品:8/12inch 硅基晶圆减薄、抛光
2. 可对应*薄产品:≥50μm(DBG工艺:≥25μm)
3. 研磨速度:0.01μm/s~80μm/s
4. 适用物料厚度:≤1.8mm
5. 加工品质:TTV≤2.5μm,WTW 士2.5μm,Ra≤0.005μm
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